[发明专利]具有多位单元阵列结构的磁阻随机存取存储器有效
| 申请号： | 200510003456.4 | 申请日： | 2005-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN1822226A | 公开（公告）日： | 2006-08-23 |
| 发明（设计）人： | 金惠珍;赵佑荣;吴泂录 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有多位单元阵列结构的磁随机存取存储器(RAM)，其包括形成在衬底上的访问晶体管、第一至第三可变电阻元件和第一至第三电流供给线。该第一至第三可变电阻元件布置在位线和访问晶体管之间并且在电气上彼此相连。该第一至第三电流供给线与该第一至第三可变电阻元件交替堆叠。该第一至第三可变电阻元件具有相同的电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 单元 阵列 结构 磁阻 随机存取存储器 | ||
【主权项】：
1.一种磁随机存取存储器包括：形成在衬底上的访问晶体管；第一至第三可变电阻元件，连续地堆叠在位线和所述访问晶体管之间，其中所述第一至第三可变电阻元件在电气上彼此相连；以及第一至第三电流供给线，以与所述位线相邻的第一可变电阻元件开始，分别与所述第一至第三可变电阻元件交替布置。
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