[发明专利]一种像素结构与薄膜晶体管及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200510002765.X 申请日: 2005-01-26
公开(公告)号: CN1652296A 公开(公告)日: 2005-08-10
发明(设计)人: 洪孟逸;施明宏 申请(专利权)人: 广辉电子股份有限公司
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00;H01L21/336;G02F1/136
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 任默闻
地址: 台湾省*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种像素结构的制造方法,此方法包括提供一基板,且在基板上已形成有一彩色滤光层,而彩色滤光层上覆盖有一偏光层。接着在偏光层上形成一第一金属层并图案化第一金属层而定义出一源极与一漏极。在基板上依序形成一沟道材质层、一栅绝缘层以及一第二金属层以覆盖源极与漏极,并图案化第二金属层、栅绝缘层以及沟道材质层而定义出一栅极以及一沟道层。在基板上方形成一保护层以覆盖栅极,并且图案化保护层而使部分漏极暴露出来。接着在基板上方形成一透明导电层,且此透明导电层与暴露出的漏极电连接。图案化此透明导电层,以构成一像素电极。
搜索关键词: 一种 像素 结构 薄膜晶体管 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种像素结构的制造方法,其特征在于包括:提供一基板,且该基板上已形成有一彩色滤光层,且该彩色滤光层上覆盖有一偏光层;在该偏光层上形成一第一金属层;进行第一道掩膜制作工序,以图案化该第一金属层,而定义出一源极与一漏极;在基板上方依序形成一沟道材质层、一栅绝缘层以及一第二金属层,覆盖该源极与该漏极;进行一第二道掩膜制作工序,以图案化该第二金属层、该栅绝缘层以及该沟道材质层,以定义出一栅极以及一沟道层;在该基板上方形成一钝化层,覆盖该栅极;进行一第三道掩膜制作工序,以图案化该钝化层,而使该漏极部分暴露出来;在该基板上方形成一透明导电层,该透明导电层与暴露出的该漏极电连接;以及对该透明导电层进行一第四道掩膜制作工序,以定义出一像素电极。
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