[发明专利]填充硅中过孔的悬浮液和方法有效
| 申请号： | 200510000023.3 | 申请日： | 2005-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN1645560A | 公开（公告）日： | 2005-07-27 |
| 发明（设计）人： | J·A·卡塞伊;B·R·松德勒夫 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/48;H01B1/16;H05K1/09;H05K3/46 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;李峥 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了用于金属化硅中盲孔或通孔的金属化工艺和材料系统，包括：形成相比于例如铜、银或金的纯金属，热膨胀系数较低的组合物或悬浮液，以及用所述浆或悬浮液填充硅中的过孔。以最小体收缩烧结悬浮液，形成高度导电结构而不形成微观空隙。所选的悬浮液保持接近于硅的热膨胀系数。 | ||
| 搜索关键词： | 填充 悬浮液 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在硅衬底中填充过孔的方法，所述方法包括：提供具有多个过孔的硅衬底；用高固填充浆填充所述过孔，所述高固填充浆包括导体材料和低CTE添加剂材料；以及在密化所述金属但不密化所述低CTE添加剂材料的温度下烧结所述硅衬底和浆。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
