[发明专利]带有透明导电膜的透明基体及其制造方法、以及含有该基体的光电转换元件

摘要

本发明提供一种带有透明导电膜的透明基体的制造方法，包括向透明基体上提供含有金属化合物、氧化原料以及氯化氢的原料气体并利用热分解氧化法在透明基体上形成以结晶性金属氧化物为主成分的透明导电膜的工序，上述工序按照顺序包括：在原料气体中氯化氢相对于金属化合物的摩尔比为0.5～5的第1工序；上述摩尔比为2～10且大于第1工序中的上述摩尔比的第2工序。利用本发明，可以提供一种透明导电膜的厚度为300nm～750nm、模糊率(haze ratio)为15％以上的带有透明导电膜的透明基体。由此，本发明提供一种具有即使膜厚度薄也有高的表面凹凸不平的透明导电膜的透明基体。

主权项

1.一种带有透明导电膜的透明基体的制造方法，是包括如下工序的带有透明导电膜的透明基体的制造方法，即向透明基体上供给含有金属化合物、氧化原料和氯化氢的原料气体并利用热分解氧化法在所述透明基体上形成以结晶性金属氧化物作为主成分的透明导电膜的工序，其中，所述工序按照顺序包括在所述原料气体中所述氯化氢相对所述金属化合物的摩尔比为0.5～5的第1工序，和所述摩尔比为2～10且大于在所述第1工序中的所述摩尔比的第2工序。