[发明专利]硅外延片的制造方法及硅外延片

摘要

在具备反应容器(11)、衬托器(20)、顶杆(13)、上侧加热装置(14a)、及下侧加热装置(14b)的气相成长装置中，对上侧加热机构和下侧加热机构的加热比率进行调整。能够控制形成于顶杆附近的硅外延层的表面形状、或产生在硅外延片的背面的凹凸部的形状。

主权项

1.一种硅外延片的制造方法，使用气相成长装置，所述气相成长装置具备：反应容器；衬托器，配置在该反应容器内，在上表面上载置硅片；顶杆，设置成能相对于该衬托器升降动作，用于随着在从下表面侧支承着硅片的状态下进行升降动作而在衬托器上装卸硅单晶衬底；上侧加热机构，从上方对所述衬托器进行加热；和下侧加热机构，从下方对所述衬托器进行加热；通过在所述衬托器上的硅片的主表面上气相成长出硅外延层来制造硅外延片，其特征在于，通过调整所述上侧加热机构和所述下侧加热机构的加热比率，控制形成于硅片的主表面中所述顶杆附近处的硅外延层的表面形状。