[发明专利]通过氧化掩埋多孔硅层形成绝缘体上硅锗结构无效
| 申请号： | 200480026380.0 | 申请日： | 2004-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN1957458A | 公开（公告）日： | 2007-05-02 |
| 发明（设计）人： | 斯蒂芬·W·比德尔;崔广洙;基思·F·福格尔;德文德拉·K·萨达纳 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 陈文平 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种通过氧化形成于含锗层下面的多孔硅层(或区)形成绝缘体上SiGe的简单而且直接的方法。该方法包括以下步骤：提供一种包括含Si衬底以及该含Si衬底顶上的含Ge层的结构，其中该含Si衬底中形成有空穴富集区；将空穴富集区转化为多孔区；将包括所述多孔区的结构退火以提供基本弛豫的绝缘体上SiGe材料。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 氧化 掩埋 多孔 形成 绝缘体 上硅锗 结构 | ||
【主权项】：
1.一种制造绝缘体上SiGe衬底材料的方法，其包括：提供一种包括含Si衬底以及该含Si衬底顶上之含Ge层的结构，其中在所述含Si衬底中形成有空穴富集区；将所述空穴富集区转化为多孔区；以及将包括所述多孔区的结构退火以形成基本弛豫的绝缘体上SiGe材料。
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