[发明专利]曝光装置和器件加工方法有效
| 申请号： | 200480024379.4 | 申请日： | 2004-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN1842893A | 公开（公告）日： | 2006-10-04 |
| 发明（设计）人： | 原英明;高岩宏明 | 申请（专利权）人： | 株式会社尼康 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/20 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 马浩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 曝光装置EX通过在投射光学系统PL和衬底P之间填充液体l并且经由投射光学系统PL和液体l将图案的图像投射到衬底P上，来对衬底P进行曝光，该装置包括：液体去除机构40，其间歇性地向液体l附着到的布置在投射光学系统PL的像平面附近的参考构件7、可移动镜55等吹气，以便去除液体l。通过这种构造，可以提供一种能够在通过经由投射光学系统和液体将图案投射到衬底上来对衬底进行曝光时去除不必要的液体的曝光装置，以及在衬底上形成所需的器件图案。 | ||
| 搜索关键词： | 曝光 装置 器件 加工 方法 | ||
【主权项】：
1.一种曝光装置，其通过在投射光学系统和衬底之间填充液体并且经由所述投射光学系统和所述液体将图案的图像投射到所述衬底上，来对所述衬底进行曝光，所述装置包括：液体去除机构，其间歇性地向所述液体附着到的组件吹气以便去除所述液体，所述组件被布置在所述投射光学系统的像平面附近。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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