[发明专利]垂直的纳米晶体管,其制造方法和存储器结构无效
| 申请号： | 200480024010.3 | 申请日： | 2004-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN1839482A | 公开（公告）日： | 2006-09-27 |
| 发明（设计）人： | 陈颉;玛尔塔·克里斯蒂娜·卢克斯－施泰纳 | 申请（专利权）人： | 哈恩－迈特纳研究所柏林有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 曾立 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明应该提出一种垂直的纳米晶体管，它良好地经受住机械负荷并且在其制造中不像迄今的已知现有技术那么昂贵。该任务根据本发明通过这种方法解决，即提出一种垂直的纳米晶体管，它具有一个源极区域、一个漏极区域、一个栅极区域以及位于源极区域和漏极区域之间的有半导体特性的沟道区域，其中栅极区域通过金属薄膜形成，晶体管被这样地嵌入该薄膜，使得栅极区域和半导体性的沟道区域形成一个同轴结构，并且源极区域、半导体性的沟道区域和漏极区域被设置在垂直方向上，并且栅极区域对源极区域、对漏极区域以及对半导体性的沟道区域具有电绝缘结构。还提出了用于制造这种晶体管的方法，以及一种存储器结构。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 纳米 晶体管 制造 方法 存储器 结构 | ||
【主权项】：
1.垂直的纳米晶体管，它具有一个源极区域(S)，具有一个漏极区域(D)，具有一个栅极区域(G)以及具有在该源极区域(S)和该漏极区域(D)之间的一个半导体性的沟道区域(3)，其中该栅极区域(G)通过一个金属薄膜(1)形成，该晶体管被这样地嵌入该金属薄膜(1)，使得该栅极区域(G)和该半导体性的沟道区域(3)形成一种同轴结构并且该源极区域(S)、该半导体性的沟道区域(3)和该漏极区域(D)被设置在垂直方向上，并且该栅极区域(G)具有对该源极区域(S)、对该漏极区域(D)和对该半导体性的沟道区域(3)的电绝缘结构(2)。
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