[发明专利]高电流电子束检测无效
| 申请号： | 200480022822.4 | 申请日： | 2004-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN1833174A | 公开（公告）日： | 2006-09-13 |
| 发明（设计）人： | 亚历山大·卡迪舍维奇;迪米特里·舍尔;克里斯托弗·塔尔伯特 | 申请（专利权）人： | 应用材料以色列公司 |
| 主分类号： | G01R31/307 | 分类号： | G01R31/307;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 张政权 |
| 地址： | 以色列瑞*** | 国省代码： | 以色列;IL |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种用于检测晶片检测的方法和设备。该设备能够检测一样品，该样品具有一至少部分导电的第一层，以及形成于所述第一层上方的第二介电层，接着并在所述第二层内生成接触开口，该设备包括：(i)一适于导引一荷电粒子高电流束以同时照射分布在该样品一区域上多个位置处的大量接触开口的电子束源；(ii)一适于测量流过所述第一层的样品电流的测量装置，以响应在所述多个位置处大量的接触开口上的照射；以及(iii)一适于提供一可代表至少一缺陷通孔的指示的控制器，以响应所述测量结果。 | ||
| 搜索关键词： | 电流 电子束 检测 | ||
【主权项】：
1.一种用于检测晶片的方法，其包括以下步骤：接收一样本，该样本具有一至少部分导电的第一层，以及形成于该第一层上方的第二介电层，接着在该第二层内生成接触开口；导引一荷电粒子高电流束以同时照射分布在该样品一区域上多个位置处的大量的接触开口；测量流过该第一层的样品电流，以响应在该多个位置处大量的接触开口上的照射；以及提供一可代表该至少一缺陷通孔的指示，以响应该测量结果。
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