[发明专利]薄膜太阳能电池有效
| 申请号： | 200480019693.3 | 申请日： | 2004-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN1820358A | 公开（公告）日： | 2006-08-16 |
| 发明（设计）人： | C·普拉策尔比约尔克曼;J·凯斯莱;L·斯托尔特 | 申请（专利权）人： | 索里布罗股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/363 | 分类号： | H01L21/363;H01L31/042;H01L31/072 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 范赤;段晓玲 |
| 地址： | 瑞典乌*** | 国省代码： | 瑞典;SE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及CIGS型的薄膜太阳能电池。本发明的特征在于使用两个整体形成的缓冲层，在CIGS层(3)顶上形成的第一ALD Zn(O，S)缓冲层和在第一缓冲层(7)顶上形成的第二ALD ZnO缓冲层(8)。两个缓冲层都在同一处理步骤中使用ALD(原子层沉积)来沉积。本发明还涉及生产电池的方法和制造电池结构的生产线。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 太阳能电池 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜太阳能电池，包括在背面电极层上形成的p-型半导体Cu(In，Ga)(Se，S)2光吸收层(CIGS层)薄膜，在光吸收层上形成的透明导电金属氧化物薄膜，其具有n-型导电性并用作窗口层和电极，和在窗口层和CIGS层之间的界面层，特征在于所述界面层包括在CIGS层上ALD生长并提高太阳能电池电性能的第一含硫缓冲层，和通过ALD沉积与第一缓冲层整体形成并包括ZnO的第二缓冲层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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