[发明专利]具有垂直溢漏和短的微透镜到硅的距离的图像传感器无效
| 申请号： | 200480019460.3 | 申请日： | 2004-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN1820349A | 公开（公告）日： | 2006-08-16 |
| 发明（设计）人： | 林新赵 | 申请（专利权）人： | 林新赵 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 深圳创友专利商标代理有限公司 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种图像传感器像素包括垂直溢漏结构，以便消除由衬底电荷扩散所引起的CMOS图像传感器噪声。利用额外的化学机械抛光步骤来缩短微透镜到硅表面的距离，以便减小光学串扰。一个实施例利用具有P－外延层的N型衬底材料来形成所述垂直溢漏。在标准CMOS工艺中引入深P阱注入，以防止N阱与N型衬底之间的闭锁。并且，通过堆叠的N阱/深N阱和堆叠的P阱/深P阱实现光电二极管，从而改善性能。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 垂直 透镜 距离 图像传感器 | ||
【主权项】：
1.一种形成图像传感器的方法，包括：开始具有第一导电类型的半导体材料的衬底；在所述衬底上形成具有第二导电类型的半导体层；及所述第二导电类型与所述第一导电类型相反，且在界面中形成PN结。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于林新赵，未经林新赵许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200480019460.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：纸张类厚度检测装置及纸币处理装置
- 下一篇：在卡槽之间具有布线耦合的底板
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
