[发明专利]具有磁性层结构的器件的制造方法无效

专利信息
申请号: 200480016087.6 申请日: 2004-06-01
公开(公告)号: CN1826672A 公开(公告)日: 2006-08-30
发明(设计)人: 雅各布斯·J·M·卢伊格罗克;约安内斯·B·A·D·范佐恩;弗雷德里克·W·M·范黑尔蒙特;威廉·J·A·热万 申请(专利权)人: 皇家飞利浦电子股份有限公司
主分类号: H01F41/14 分类号: H01F41/14;H01F10/32;H01F13/00;G11B5/39;H01L43/12;G01R33/09
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 王英
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 公开了一种具有磁性层结构的器件的制造方法,该方法包括以下步骤:形成磁性层结构(2);用电流加热该磁性层结构,其中电流是具有一定持续时间的脉冲(3),从而从该层结构向层结构的环境(4)基本上不发生热传递,因而所述环境的温度在电流脉冲之前和之后基本上相同。热量基本上消散在层结构中。因此这种方法允许选择层结构中的物理工艺,以便优化磁阻器件的磁或电特性,同时不干扰环境如相邻器件。该方法可以有利地用于在设置成惠斯登桥结构(16)的不同磁阻器件(12、13、14、15)的偏置层中设置不同的磁化方向(9、10),或者用于减小所述惠斯登桥的输出特性的偏移。
搜索关键词: 具有 磁性 结构 器件 制造 方法
【主权项】:
1、具有磁性层结构的器件(1)的制造方法,该方法包括以下步骤:形成磁性层结构(2),用电流加热该磁性层结构,该方法的特征在于该电流是具有一定持续时间的脉冲(3),从而从该层结构(2)向层结构的环境(4)基本上不发生热传递,因而所述环境的温度在该电流脉冲之前和之后基本上相同。
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