[发明专利]具有扩展的聚焦深度的光刻系统及方法有效
| 申请号： | 200480014933.0 | 申请日： | 2004-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN1802711A | 公开（公告）日： | 2006-07-12 |
| 发明（设计）人： | 小爱德华·雷蒙德·道斯基;格雷戈里·E·约翰逊;肯尼思·斯科特·库贝拉;小托马斯·卡斯·韦德 | 申请（专利权）人： | CDM光学有限公司 |
| 主分类号： | G21G5/00 | 分类号： | G21G5/00 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余朦;葛强 |
| 地址： | 美国科*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种具有扩展的聚焦深度光刻系统对涂布在晶片上的光刻胶进行曝光，所述光刻系统包括：照明子系统；光掩模；以及成像透镜，它具有光瞳面函数以形成所述光掩模的空间图像，所述空间图像邻近于所述光刻胶。所述光瞳面函数提供了扩展的聚焦深度，以使所述系统可在放松的允许偏差、减少的成本和/或增加的处理能力下得到制造或使用。即便是存在聚焦不准或失准时，也能够使用所述系统在集成线路中形成精确的通路。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 扩展 聚焦 深度 光刻 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于对涂布在晶片上的光刻胶进行曝光的光刻系统，包括：照明子系统；光掩模；成像透镜，它具有光瞳面函数并形成所述光掩模的空间图像，所述空间图像邻近于所述光刻胶并具有扩展的聚焦深度。
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