[发明专利]等离子体均匀性无效
| 申请号: | 200480014835.7 | 申请日: | 2004-03-26 |
| 公开(公告)号: | CN1798864A | 公开(公告)日: | 2006-07-05 |
| 发明(设计)人: | 勒内·乔治;安德烈亚斯·卡达瓦尼克;丹尼尔·J·迪瓦恩;斯蒂芬·E·萨瓦斯;约翰·扎贾克;单宏清 | 申请(专利权)人: | 马特森技术公司 |
| 主分类号: | C23C16/00 | 分类号: | C23C16/00;C23F1/00;H01L21/00 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 魏晓刚;李晓舒 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | 实现一种更加均匀的等离子体工艺用于利用具有均匀间隔槽的静电屏使用在处理表面上产生非对称等离子体密度图案的感耦等离子体源处理处理对象。有槽的静电屏按照补偿非对称等离子体密度图案从而在处理表面提供调整的等离子体密度图案的方式调整。介绍一种更加均匀的径向等离子体工艺,其中按照在处理表面上产生调整的径向变化特性的方式构造静电屏装置取代给定的静电屏。该感耦等离子体源限定一对称轴,且静电屏装置构造为包括延伸通过关于该对称轴的半径范围的形状。 | ||
| 搜索关键词: | 等离子体 均匀 | ||
【主权项】:
1.一种用于在处理室中产生更均匀的等离子体和处理的方法,用于利用具有均匀间隔的槽的有槽静电屏,使用在处理表面处产生非对称等离子体密度图案的感耦等离子体源,在反应室内处理处理对象的处理表面,所述方法包括步骤:按照补偿所述非对称等离子体密度图案从而在所述处理表面提供调整的等离子体密度图案的方式调整所述有槽静电屏。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





