[发明专利]电子束微细加工方法有效
| 申请号： | 200480014758.5 | 申请日： | 2004-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN1795541A | 公开（公告）日： | 2006-06-28 |
| 发明（设计）人： | 金子忠昭;阪上洁;佐野直克 | 申请（专利权）人： | 学校法人关西学院 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L21/461 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 孙秀武;邹雪梅 |
| 地址： | 日本兵库*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在包含有单体GaAs以及InP基板的AlxGayIn1－x－yAszP1－z (0≤x、y、z≤1)层表面，用调节为任意电子束直径和电流密度的电子束进行照射，使上述AlxGayIn1－x－yAszP1－z层表面上形成的自然氧化膜选择性取代为或生成Ga2O3之后，将上述AlxGayIn1－x－yAszP1－z层表面用溴化物以单原子层单位进行干蚀刻，除去已经置换成上述Ga2O3部分以外的上述自然氧化膜以及AlxGayIn1－x－yAszP1－z基板。 | ||
| 搜索关键词： | 电子束 微细 加工 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电子束微细加工方法，为负型石版印刷术，能够对在包含有单体GaAs以及InP基板的AlxGayIn1-x-yAszP1-z(0≤x、y、z≤1)表面上形成的GaAs薄膜表面上，用调节为任意电子束直径和电流密度的电子束进行照射，使上述GaAs表面上形成的自然氧化膜选择性置换成或生成Ga2O3之后，将上述GaAs层表面用溴化物以单原子层单位进行干蚀刻，选择性除去已经置换成上述Ga2O3部分以外的上述自然氧化膜以及GaAs和AlxGayIn1-x-yAszP1-z。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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