[发明专利]等离子体处理装置有效
| 申请号： | 200480013598.2 | 申请日： | 2004-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN1791972A | 公开（公告）日： | 2006-06-21 |
| 发明（设计）人： | 松浦广行;加藤寿 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/3065;C23C16/505;C23F4/00;H05H1/46 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于：在纵型等离子体处理装置中，不降低原子团的利用效率，防止等离子体对被处理体的破坏，并抑制空心阴极放电和等离子体引起的溅射的发生。在处理容器32的侧壁的内表面的一部分上设置有在上下方向延伸的凹部74。从配置在凹部74中的等离子体气体喷嘴62喷出的等离子体气体，在凹部74中的等离子体电极76之间的区域PS中被等离子体化，向着被处理体W从凹部74喷出。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理装置，对被处理体实施规定的等离子体处理的等离子体处理装置，其特征在于，具备：可被抽真空的筒形的纵型处理容器；在所述处理容器内分多段保持多个被处理体的被处理体保持机构；设置在所述处理容器外侧的加热器；在所述处理容器内供给等离子体化的等离子体气体的等离子体气体喷嘴；和为将所述等离子体气体等离子体化而设置的、施加高频电压的相对配置的等离子体电极，其中，在所述处理容器的侧壁的内表面的一部分上设置有在上下方向延伸的凹部，所述等离子体气体喷嘴配置成使其从所述凹部的底部向着被处理体喷出等离子体气体，所述等离子体电极配置在使从所述等离子体气体喷嘴喷出的等离子体气体在所述凹部中等离子体化的位置上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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