[发明专利]用于化学机械平面化的材料和方法

摘要

本发明提供了诸如在半导体装置的制造期间形成于半导体的衬底上的氧化物或金属的化学机械平面化的材料和方法，该方法使用具有开室泡沫结构的固定研磨抛光垫，自由研磨颗粒通过修整从所述开室泡沫结构产生，并且与载液组合以在抛光垫的抛光表面上形成现制浆料，所述现制浆料与半导体衬底和抛光垫之间的相对运动配合，倾向于从半导体衬底的表面去除材料层。取决于材料层的组成，可以通过调整载液的pH值或氧化剂含量而控制从半导体衬底去除材料的速度。

主权项

1.一种从衬底的主要表面去除材料的方法，该方法包括：将载液施加到抛光垫的抛光表面，所述抛光垫具有限定多个互连室的热固聚合物基质的开室结构和遍布所述聚合物基质的研磨颗粒；在施加倾向于使所述衬底的主要表面和所述抛光表面接触的力时，在大致平行于所述衬底的所述主要表面的平面中导致所述衬底和所述抛光垫之间的相对运动；修整所述抛光表面，由此从所述聚合物基质释放自由研磨颗粒；和使用所述自由研磨颗粒抛光所述衬底的所述主要表面以从所述衬底的所述主要表面去除所述材料的一部分。