[发明专利]制备双金属栅器件的方法有效
| 申请号： | 200480008378.0 | 申请日： | 2004-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN101027771A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | 戴维·吉尔默;斯瑞卡恩斯·B.·萨曼维达姆;飞利浦·J.·托宾 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种制备MOS晶体管(10)的方法，所述晶体管(10)包含由异种金属制成的双金属栅。例如HfO2的栅介质(34)被沉积在半导体衬底(31)上。然后在栅介质(34)上方沉积牺牲层(35)。图案化牺牲层(35)，使得衬底(31)的第一区域(例如，pMOS)上方的栅介质(34)露出，并且衬底(31)的第二区域(例如，nMOS)(33)上方的栅介质(34)仍受到牺牲层(35)的保护。第一栅导体材料(51)被沉积在保留的牺牲层区域(35)的上方和暴露的栅介质(34)的上方。图案化第一栅导体材料(51)，使得衬底(31)的第二区域(33)的上方的第一栅导体材料(51)被蚀刻去除。当第一栅导体材料(51)被去除时，第二区域(33)上方的牺牲层(35)防止下层的介质材料(34)受到破坏。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 双金属 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，该方法包括：提供具有表面并具有第一区域和第二区域的半导体衬底；在第一区域上方和第二区域上方的表面上形成栅介质；在栅介质上方形成牺牲层；图案化牺牲层，使得第一区域上方的栅介质露出，并且剩余的牺牲层保护第二区域上方的栅介质；在露出的栅介质上方和在剩余的牺牲层上方沉积第一栅导体材料；图案化第一栅导体材料，使得剩余的牺牲层露出；去除剩余的牺牲层，从而露出第二区域上方的栅介质；以及在图案化的第一栅导体材料上方和在由于图案化第一栅导体材料而露出的栅介质上方沉积第二栅导体材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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