[发明专利]使用具有多层ARC的反射掩模在晶片上图案化光刻胶的方法有效
| 申请号： | 200480005983.2 | 申请日： | 2004-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN1756992A | 公开（公告）日： | 2006-04-05 |
| 发明（设计）人： | 詹姆士·R·沃森;帕威特·曼加特 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | G03C5/00 | 分类号： | G03C5/00;G21K5/00;G03F9/00;G06K9/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李涛;钟强 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 图案化反射半导体掩模(10)使用覆盖吸收体叠层(22)的多层ARC(24，26.28)，该吸收体叠层覆盖反射衬底(12，14)。吸收体叠层多于一层，并且吸收体叠层的顶层具有预定金属。覆盖吸收体叠层的多层ARC具有与吸收体叠层的顶层的预定金属结合的氮、氧和氮层。ARC中的氧层具有比其中的氮层更少的金属特性。在一种形式中，覆盖介质层位于多层ARC上以增加光的干涉。ARC为远紫外(EUV)线提供宽带宽检测对比度。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 具有 多层 arc 反射 晶片 图案 光刻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体掩模，包括：衬底；反射层，覆盖衬底用于反射来自半导体掩模的光；有选择地形成的覆盖反射层的吸收体叠层，该吸收体叠层具有多个层，与反射层相对的吸收体叠层的上层包括预定金属；以及覆盖吸收体叠层的上层的多层抗反射膜，该多层抗反射膜包括同吸收体叠层的上层的预定金属相结合的，分别具有氮、氧和氮的相邻各层。
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