[发明专利]对多层晶片的环圈的预防性处理工艺有效
| 申请号： | 200480005965.4 | 申请日： | 2004-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN1757097A | 公开（公告）日： | 2006-04-05 |
| 发明（设计）人： | E·内雷;C·马勒维尔 | 申请（专利权）人： | S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/324;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于处理多层晶片的环圈的工艺，该多层晶片通过层转移制成并包含选自半导体材料的材料，所述晶片至少包括在表面区和基层之间的中间层，其特征在于，所述工艺包括对晶片快速热退火，以通过晶片表面的所述表面区的层而造成对所述中间层的外围边缘的重叠和封装，由此在晶片的后续处理步骤期间预防对晶片所述中间层的外围部分的侵蚀。本发明还涉及相关的多层晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 晶片 预防性 处理 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种用于处理多层晶片的环圈的工艺，所述多层晶片通过层转移制成并包含选自半导体材料的材料，所述晶片至少包括在表面区和基层之间的中间层，其特征在于，所述工艺包括对晶片快速热退火，以通过晶片表面的所述表面区的层而造成对所述中间层的外围边缘的重叠和封装，由此在晶片的后续处理步骤期间预防对晶片所述中间层的外围部分的侵蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
