[发明专利]气化器及原料溶液的气化方法以及气化器的清洗方法无效
| 申请号： | 200480004514.9 | 申请日： | 2004-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN1751380A | 公开（公告）日： | 2006-03-22 |
| 发明（设计）人： | 矢元久良;酒进谅一;庄司正文;阿久户和哉;长冈健;绵贯宏 | 申请（专利权）人： | 华哥姆电创股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/31;C23C16/448 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 胡建新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明得到MOCVD用气化器，排除在气化器的喷出口附近的周围附着薄膜原料的现象。载流气体+少量氧化气体供给部11将经由形成在内部的气体通路供给的、包含原料溶液的载流气体供给给气化部；防止气泡+原料溶液供给部12将防止包含原料溶液的载流气体产生气泡的原料及其原料溶液供给给载流气体，抑制溶媒气化冷却系统13抑制溶媒的气化；防止涡流用气体供给部14供给用于防止在气化部的气体出口附近产生涡流的气体。细微喷雾化部15使包含从气化器20喷出的原料溶液的载流气体形成为细微的喷雾状态，完全气化用高性能气化管16将包含从气化器20喷出的原料溶液的载流气体，完全进行气化。 | ||
| 搜索关键词： | 气化 原料 溶液 方法 以及 清洗 | ||
【主权项】：
1.一种气化器，将经由气体通路被供给的成膜原料从导入口向气化部导入，并在该气化部中使该原料溶液气化，其特征在于，设有用于向所述导入口喷出清洗液的清洗部件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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