[发明专利]CMP研磨剂以及研磨方法有效
| 申请号： | 200480003202.6 | 申请日： | 2004-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN1745460A | 公开（公告）日： | 2006-03-08 |
| 发明（设计）人： | 深泽正人;吉田诚人;小山直之;大槻裕人;山岸智明;榎本和宏;芳贺浩二;仓田靖 | 申请（专利权）人： | 日立化成工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;C09K3/14 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 钟晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种CMP研磨剂以及研磨方法，其中CMP研磨剂含有氧化铈粒子、分散剂、水溶性高分子以及水，所述水溶性高分子为具有下述族群中的任一种化合物的N－单取代化合物骨架和N，N－二取代化合物骨架中的任一种的化合物：丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺以及它们的α－取代化合物所构成的族群。其中相对研磨剂100重量份，水溶性高分子优选为0.01～10重量份。从而，在平坦化层间绝缘膜、BPSG膜、浅沟槽分离用绝缘膜等的CMP技术中，能够有效、高速地研磨，且操作管理也能容易地进行。 | ||
| 搜索关键词： | cmp 研磨剂 以及 研磨 方法 | ||
【主权项】：
1.一种CMP研磨剂，其特征在于，其含有氧化铈粒子、分散剂、水溶性高分子以及水，前述水溶性高分子为具有下述族群中的任一种化合物的N-单取代化合物骨架和N，N-二取代化合物骨架中的任一种的化合物：丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺以及它们的α-取代化合物所构成的族群。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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