[发明专利]用于受控涂敷反应蒸气来制造薄膜和涂层的装置和方法无效
申请号: | 200480000841.7 | 申请日: | 2004-06-10 |
公开(公告)号: | CN1735708A | 公开(公告)日: | 2006-02-15 |
发明(设计)人: | 博里斯·科布兰;罗穆亚尔德·诺瓦克;理查德·C·伊;杰弗里·D·钦 | 申请(专利权)人: | 应用微型构造公司 |
主分类号: | C23C16/00 | 分类号: | C23C16/00;C23C16/455;C23C16/52 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 柳春雷 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 公开了一种气相沉积方法和装置,用于在衬底上涂敷薄的层和涂层。该方法和装置在制造电子器件、微机电系统(MEMS)、Bio-MEMS器件、微纳米印刷光刻术和微射流器件中是有用的。用于执行该方法的装置提供了在涂层形成过程的单个反应步骤中对所要消耗的各反应物的精确量的添加。该装置在单个步骤中或者当在涂层形成过程中存在许多不同的单个步骤时,提供反应物的不同组合的量的精确添加。蒸气形式的各反应物的精确添加在指定温度下被按剂量供入预定的设定体积中至指定压力,以提供高精确量的反应物。 | ||
搜索关键词: | 用于 受控 反应 蒸气 制造 薄膜 涂层 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于涂层的气相沉积的装置,所述涂层具有在从约5埃到约1000埃范围中的厚度,其中,用于形成所述涂层的至少一种前驱体在25℃的温度下表现出低于约150Torr的蒸气压,所述装置包括:至少一个前驱体容器,其中以液体或者固体形式放置所述至少一种前驱体;至少一个前驱体蒸气池,用于保存所述至少一种前驱体的蒸气;至少一个设备,控制从所述前驱体容器到所述前驱体蒸气池中的前驱体蒸气流;压力传感器,与所述前驱体蒸气池连通;工艺控制器,所述工艺控制器从所述压力传感器接收数据,将所述数据与期望的额定蒸气池压力比较,并且将信号发送到一个控制从所述前驱体容器到所述前驱体蒸气池中的蒸气流的设备,以便在达到所述期望的额定压力时,防止蒸气流进一步进入所述前驱体蒸气池中;在收到来自所述第一工艺控制器的信号时控制进入所述前驱体蒸气池中的前驱体蒸气流的设备;处理室,用于将所述涂层气相沉积在所述处理室中的衬底上;和在收到来自所述工艺控制器的信号时控制进入所述处理室中的前驱体蒸气流的设备。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的