[实用新型]集成电路晶体管无效
| 申请号： | 200420120272.7 | 申请日： | 2004-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN2777758Y | 公开（公告）日： | 2006-05-03 |
| 发明（设计）人： | 高荣辉;曹昌胜;陈燕铭;吴林峻 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/088;H01L27/105 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇;张久安 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种集成电路晶体管，用于LDD离子布植制程的补偿间隙壁，此补偿间隙壁是不借由光微影与干蚀刻制程的全面性沉积所形成，此位于LDD区上的补偿间隙壁在一离子布植制程中可防止基底损失硅与防止掺杂质的污染，且具有致密化的特性以改善元件可靠度。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 晶体管 | ||
【主权项】：
1、一种集成电路晶体管，其特征在于所述集成电路晶体管包括：一半导体基底具有一栅极结构；至少一介电层位于该半导体基底上，其中该介电层包括至少一第一部分沿着该栅极结构的侧壁；一第一掺杂区位于该半导体基底中，且侧向邻接于该介电层的该第一部分；一侧壁间隙壁是沿着该栅极结构的侧壁而形成于该介电层上；以及一第二掺杂区形成于该半导体基底中，且侧向邻接至该侧壁间隙壁；其中，该介电层为一致密化材料层，其蚀刻率在100∶1的氢氟酸溶液中小于每分钟200埃。
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