[实用新型]抗辐射加固电荷耦合器件非光敏区保护结构无效
申请号: | 200420105749.4 | 申请日: | 2004-12-22 |
公开(公告)号: | CN2776847Y | 公开(公告)日: | 2006-05-03 |
发明(设计)人: | 汪朝敏;陈于伟 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
主分类号: | B64G1/54 | 分类号: | B64G1/54 |
代理公司: | 重庆弘旭专利代理有限责任公司 | 代理人: | 侯懋琪 |
地址: | 400060重庆*** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种抗辐射加固电荷耦合器件非光敏区保护结构。在电荷耦合器件的存储区及水平区的表面设置有铟保护层。本实用新型的优点是:电荷耦合器件的抗辐射能力提高了30%。 | ||
搜索关键词: | 辐射 加固 电荷耦合器件 光敏 保护 结构 | ||
【主权项】:
1、一种抗辐射加固电荷耦合器件非光敏区保护结构,其特征在于:在电荷耦合器件的存储区(1)及水平区(2)的表面设置有铟保护层(3)。
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