[实用新型]半穿透半反射式液晶显示装置无效
| 申请号： | 200420083412.8 | 申请日： | 2004-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN2727781Y | 公开（公告）日： | 2005-09-21 |
| 发明（设计）人： | 杨秋莲;凌维仪 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;群创光电股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/133 | 分类号： | G02F1/133;G02F1/1335;G02F1/1343 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种半穿透半反射式液晶显示装置包括一上基板，一下基板，一位于该上基板与该下基板之间的液晶层，一公共电极设置于上基板，像素电极设置于下基板，该像素电极、公共电极及位于其中间的液晶层构成多个像素区域，该每一像素区域具一反射区电极及一穿透区电极，其中该液晶层靠近基板的一侧液晶分子预倾角为0度至15度，另一侧液晶分子预倾角为75度至90度，该上基板外侧设置有一第一上延迟片，该下基板外侧设置有一第一下延迟片。 | ||
| 搜索关键词： | 穿透 反射 液晶 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种半穿透半反射式液晶显示装置，其包括：一上基板，一下基板，一位于该上基板与该下基板之间的液晶层，一公共电极设置于上基板，像素电极设置于下基板，该像素电极、公共电极及位于其中间的液晶层构成多个像素区域，该每一像素区域具一反射区电极及一穿透区电极，其特征在于：该液晶层靠近基板的一侧液晶分子预倾角为0度至15度，另一侧液晶分子预倾角为75度至90度，该上基板外侧设置有一第一上延迟片，该下基板外侧设置有一第一下延迟片。
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