[实用新型]发光二极管的结构改良无效
| 申请号： | 200420000622.6 | 申请日： | 2004-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN2742582Y | 公开（公告）日： | 2005-11-23 |
| 发明（设计）人： | 何英明 | 申请（专利权）人： | 光楠科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戴元毅 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种发光二极管的结构改良，是用以提高发光二极管散热效率的封装结构，其特征主要是将发光芯片置于支架固晶区，在该发光芯片下缘以无机材料作为封装壳体的一部分；据上述的构造，该发光二极管在大电流输入时所产生的热源得以迅速藉由该无机材料传导至外部，使其具有全面性的散热效果，以避免发光芯片因高温质变而损坏，达到延长其使用寿命的功效。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 结构 改良 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管的结构改良，其主要构造包括有发光芯片、正极支架、负极支架及封装壳体，该发光芯片设置于负极支架上，其特征在于：包覆于所述发光芯片外的封装壳体上半部是透明的环氧树脂，在该发光芯片下缘的封装壳体下半部是热传导系数高的无机材料。
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