[发明专利]一种制备金属锆薄膜材料的方法无效
| 申请号： | 200410101885.0 | 申请日： | 2004-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN1796596A | 公开（公告）日： | 2006-07-05 |
| 发明（设计）人： | 杨少延;柴春林;刘志凯;陈涌海;陈诺夫;王占国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C23C14/48 | 分类号： | C23C14/48;C23C14/16;C23C14/54;C23C14/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明是制备金属锆薄膜材料的方法，属于半导体技术领域。该方法利用有质量分离功能与荷能离子沉积特点的双离子束外延生长设备，以纯度不高的低成本氯化锆为原材料，在用单束的同位素纯低能氩离子轰击清洗过的洁净衬底上，先用产生的同位素纯低能金属锆离子束和氮离子束制备一层薄氮化锆作为阻挡衬底与锆离子发生界面反应的阻挡层和缓冲层，再用单束的同位素纯低能金属锆离子外延生长金属锆薄膜，通过准确控制锆离子束的能量、沉积剂量、束流密度、束斑形状及生长温度，在超高真空生长室内，实现难提纯、高熔点的金属锆薄膜的低成本高纯、高结晶质量生长与低温外延。本发明的生长工艺便于调控和优化，是一种经济实用的制备金属锆薄膜材料的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 金属 薄膜 材料 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备金属锆薄膜材料的方法，其特征在于，利用具有质量分离功能与荷能离子沉积特点的双离子束外延生长设备，以纯度要求不高的低成本氯化锆为原材料，在用单束的同位素纯低能氩离子轰击溅射清洗过的洁净硅衬底上，先用产生的同位素纯低能金属锆离子束和氮离子束制备一层薄氮化锆作为阻挡硅与锆离子发生界面反应的阻挡层和缓冲层，再用单束的同位素纯低能金属锆离子外延生长金属锆薄膜，通过准确控制锆离子束的能量、沉积剂量、束流密度、束斑形状及生长温度，在超高真空生长室内，实现难提纯、高熔点金属锆薄膜的低成本高纯、高结晶质量生长与低温外延。
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