[发明专利]内置功率MOS场效应晶体管和驱动电路的半导体装置无效
| 申请号： | 200410101189.X | 申请日： | 2004-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN1630093A | 公开（公告）日： | 2005-06-22 |
| 发明（设计）人： | 中村和敏;安原纪夫;末代知子;松下宪一;中川明夫 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/00 | 分类号： | H01L29/00;H01L29/78;H02M3/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 胡建新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种包含功率MOSFET和驱动该晶体管的驱动电路的、适用于高速转换的非绝缘型DC－DC转换器。半导体装置具备高端开关元件、驱动电路和低端开关元件。所述高端开关元件形成于第1半导体基底上，向电流通路的一端提供输入电压，所述电流通路的另一端连接于电感上。所述驱动电路形成于形成所述高端开关元件的所述第1半导体基底上，驱动所述高端开关元件。所述低端开关元件形成于与所述第1半导体基底不同的第2半导体基底上，在漏极上连接电感，向源极提供基准电位。 | ||
| 搜索关键词： | 内置 功率 mos 场效应 晶体管 驱动 电路 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，具备：高端开关元件，形成于第1半导体基底上，向电流通路的一端提供输入电压，所述电流通路的另一端连接于电感上；驱动电路，在形成了所述高端开关元件的所述第1半导体基底上形成，驱动所述高端开关元件；和低端开关元件，在与所述第1半导体基底不同的第2半导体基底上形成，在漏极上连接电感，向源极提供基准电位。
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