[发明专利]印记抑制电路方案无效
| 申请号： | 200410100743.2 | 申请日： | 2004-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN1637933A | 公开（公告）日： | 2005-07-13 |
| 发明（设计）人： | 托马斯·勒尔;迈克尔·雅各 | 申请（专利权）人： | 因芬奈昂技术股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22;H01L27/105 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种铁电体存储器阵列包括多个存储页面，每个存储页面均由多个铁电体存储单元构成。通过公共的字线向铁电体存储单元供电。状态存储单元与多个存储页面中的每一个相连，每个状态存储单元存储其与之相连的存储页面的状态。多个读出放大器中的每一个接收来自位线对的输入。位线中的每一个接收来自多个存储页面的铁电体存储单元的输入。在读取操作之后，读出放大器将数据按照相反的状态写回到存储单元和状态单元中。 | ||
| 搜索关键词： | 印记 抑制 电路 方案 | ||
【主权项】：
1、一种铁电体存储器阵列，包括：多个存储页面，每个存储页面均由多个铁电体存储单元构成，通过公共的字线向所述多个铁电体存储单元供电；状态存储单元，与所述多个存储页面中的每一个相连，每个状态存储单元存储其与之相连的存储页面的状态；以及多个读出放大器，每一个接收来自位线对的输入，所述位线对中的每一个接收来自多个所述存储页面的所述铁电体存储单元的输入，在读取操作之后，所述读出放大器将数据按照相反的状态写回到所述存储单元和状态单元中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于因芬奈昂技术股份有限公司，未经因芬奈昂技术股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410100743.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：从远程终端激活照相机的方法
- 下一篇：切削槽的测量方法
