[发明专利]硅晶微麦克风的制作方法无效

专利信息
申请号: 200410100284.8 申请日: 2004-12-10
公开(公告)号: CN1787694A 公开(公告)日: 2006-06-14
发明(设计)人: 龚诗钦;林中源;黄尧民;郑权贤;薛树远 申请(专利权)人: 美律实业股份有限公司
主分类号: H04R31/00 分类号: H04R31/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 周长兴
地址: 台湾省*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明是一种硅晶微麦克风的制作方法,该硅晶微麦克风以半导体工艺与硅微细加工制作而成,其主要包含有一具有一共振室的硅基板、一振动膜、一设有若干音孔的背板,以及一金属焊垫,制作容易,成本低廉,且适于大量生产。
搜索关键词: 硅晶微 麦克风 制作方法
【主权项】:
1.一种硅晶微麦克风的制作方法,其包含有下列步骤:(a)提供一硅基板,且该硅基板的顶、底面分别有一介电层,随后于该硅基板的顶面沉积多晶硅材料,并掺杂硼或磷离子后进行回火以形成一振动膜,再将该振动膜进行微影蚀刻以得到所设计的图形;(b)于该振动膜上沉积形成一牺牲层;(c)沉积一绝缘层于该牺牲层上;(d)在该绝缘层上方沉积多晶硅材料,掺杂硼或磷离子后进行回火以形成一背板,而后微影蚀刻出所需的图形;(e)沉积一保护层于该背板,再微影蚀刻出一接触窗;(F)溅镀或蒸镀二导电焊垫于该接触窗的位置,且分别于该背板、该振动膜电性连接;(g)蚀刻该保护层、该背板与该绝缘层,进而形成复数个音孔;(h)去除该硅基板底面部分的介电层,再蚀刻该硅基板,之后将该硅基材顶面的介电层去除而形成一共振室;以及(i)去除该牺牲层。
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