[发明专利]一种双极型多晶发射极超高频纵向晶体管的制造方法无效
| 申请号： | 200410099043.6 | 申请日： | 2004-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN1797721A | 公开（公告）日： | 2006-07-05 |
| 发明（设计）人： | 张健亮 | 申请（专利权）人： | 上海贝岭股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 章蔚强 |
| 地址： | 20023*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种双极型多晶发射极超高频纵向晶体管的制造方法：在衬底上形成硅外延层；在外延层上形成局部的厚氧化层作为器件之间的隔离；在非隔离区域注入P型杂质形成基区；在基区选定区域中再注入大剂量P型杂质形成非本征基区；在基区上面淀积一层SI3N4；去除位于非本征基区和发射区所在区域上面的SI3N4；湿法腐蚀去除发射区上的氧化层；淀积一层掺入N型杂质的多晶硅；杂质推进后就形成了发射区和基区；推进完成后，去除位于基区的氧化层；溅射并形成ALSI电极。本发明采用多晶硅接触替代了传统的AL－SI接触，缩小了发射区的面积，减小了晶体管的横向尺寸，大大提高了高频性能。本发明还采用自动对准工艺，简化了制造方法，使晶体管可以在生产条件较差的情况下生产出尺寸更小的晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双极型 多晶 发射极 超高频 纵向 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双极型多晶发射极超高频纵向晶体管的制造方法，包括下列步骤：选择一种高浓度掺杂的硅衬底；在该衬底上形成硅外延层；在外延层上形成局部的厚氧化层作为器件之间的隔离；在非隔离区域注入P型杂质形成基区；在基区选定区域中再注入大剂量P型杂质形成非本征基区；在基区上面淀积一层SI3N4；去除位于非本征基区和后来作为发射区所在区域上面的SI3N4；湿法腐蚀去除位于发射区上的氧化层，形成接触孔；清洗接触孔区域，淀积一层掺入N型杂质的多晶硅；杂质推进形成发射区和基区；推进完成后，去除位于基区的氧化层；溅射并形成ALSI电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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