[发明专利]纳米级银和锑或银和铋掺杂的硒化铅及其制备方法无效
| 申请号： | 200410099005.0 | 申请日： | 2004-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN1796270A | 公开（公告）日： | 2006-07-05 |
| 发明（设计）人： | 蔡克峰;雷强;张留成 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | C01B19/04 | 分类号： | C01B19/04;C01G21/00;C04B35/515 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 20009*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硒化铅为基的热电材料及其制备方法。本发明中所述的纳米级银和锑或银和铋掺杂的硒化热铅电材料是指AgnPbMnSe1+2n，M为Sb或Bi，0＜n≤0.2。其制备方法有两种：1.在硒粉中加入还原剂使硒粉还原成硒离子，加热后加入铅、锑或铋的可溶性盐、硝酸银的去离子水溶液，搅拌或超声波处理后，过滤、清洗，再室温真空烘干即可；2.把硒粉加入到硝酸银、铅、锑或铋的氯化盐或硝酸盐的去离子水溶液中，再加入还原剂，加热至100－200℃保温1－20小时后冷却至室温，将产物过滤洗涤后进行真空干燥处理即可。本发明所制备的新的硒化铅热电材料粒度细、纯度高，使用的原料便宜易得，工艺简单。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 掺杂 硒化铅 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种纳米级银和锑或银和铋掺杂的硒化铅热电材料，含有AgnPbMnSe1+2n，M为Sb或Bi，0＜n≤0.2。
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