[发明专利]具有改善闭锁电压和导通电阻性能的横向FET结构及方法无效
| 申请号： | 200410098291.9 | 申请日： | 2004-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN1630096A | 公开（公告）日： | 2005-06-22 |
| 发明（设计）人： | 齐亚侯塞因;杜尚晖;石黑毅;雷杰施·S·奈尔 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在本发明的一个实施例中，在半导体材料主体(32)内形成了横向FET结构(30)。结构(30)包括多个与导电层(57)耦联在一起的非交叉指漏区(39)，和多个与不同导电层(51)耦联在一起的源区(34)。一个或多个层间电介质(53、54)隔离两个导电层(51、57)。各个源区(34)没有小半径指尖区域。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改善 闭锁 电压 通电 性能 横向 fet 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种横向FET器件，其特征在于：半导体材料主体，其具有第一导电类型；多个第二导电类型的漏区，其在半导体材料主体内形成；多个第二导电类型的源区，其在半导体材料主体内形成；第一导电层，其在半导体材料主体之上形成并耦联于该多个漏区；第二导电层，其在半导体材料主体之上形成并耦联于该多个源区；以及电介质层，其在半导体材料主体之上形成，其中第一和第二导电层的其中一个在该电介质层之上形成。
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