[发明专利]快速升温处理设备、其制造方法及温度调节方法无效
| 申请号： | 200410097947.5 | 申请日： | 2004-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN1627494A | 公开（公告）日： | 2005-06-15 |
| 发明（设计）人： | 久保裕子 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种快速升温处理设备、其制造方法及温度调节方法。对衬底(100)进行快速升温处理的快速升温处理设备，包括：支承衬底(100)的衬底支承部件(102)、和测量快速升温处理中的衬底(100)的温度的多个光学的高温测量器(105)。多个光学的高温测量器(105)，至少设置在衬底(100)的中央部分和端部，却不直接与衬底(100)接触。利用快速升温处理衬底(100)，获取衬底(100)中的滑移量或者氧化膜厚等依赖于温度的量之后，再根据该依赖于温度的量，分别独立地修正每一个光学的高温测量器(105)的温度偏移量。 | ||
| 搜索关键词： | 快速 升温 处理 设备 制造 方法 温度 调节 | ||
【主权项】：
1.一种快速升温处理设备，其对衬底进行快速升温处理，其特征在于：包括：支承所述衬底的衬底支承部件；所述衬底支承部件具有抗氧化性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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