[发明专利]光电二级管及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200410097430.6 申请日: 2004-11-29
公开(公告)号: CN1622344A 公开(公告)日: 2005-06-01
发明(设计)人: 孟桂元;裵晟烈 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/068;H01L31/075
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 李晓舒;魏晓刚
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明涉及光电二极管及其制造方法。例如,一种制造光电二极管的方法包括:在半导体衬底上形成第一导电类型的掩埋层,并在掩埋层上形成第一本征帽盖外延层。在第一本征帽盖外延层上形成第一导电类型的第一本征外延层。在第一本征外延层中形成第一导电类型的第一结区。在第一结区以及第一本征外延层上形成第二导电类型的第二本征外延层。在第二本征外延层上形成第二本征帽盖外延层。形成第一导电类型的第二结区,使得该第二结区穿过第二本征帽盖外延层以及第二本征外延层。第二结区与第一结区接触。在第二结区的表面上形成第一电极,并在第二本征帽盖外延层的表面上形成第二电极。
搜索关键词: 光电 二级 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种制造光电二极管的方法,包括:在一半导体衬底上形成第一导电类型的一掩埋层,并在该掩埋层上形成一第一本征帽盖外延层;在所述第一本征帽盖外延层上形成第一导电类型的第一本征外延层,并在所述第一本征外延层中形成第一导电类型的第一结区;在所述第一结区和所述第一本征外延层上形成第二导电类型的第二本征外延层;在所述第二本征外延层上形成一第二本征帽盖外延层;形成第一导电类型的第二结区,使得该第二结区穿过所述第二本征帽盖外延层以及所述第二本征外延层并且与所述第一结区接触;以及在所述第二结区的表面上形成第一电极,并在所述第二本征帽盖外延层的表面上形成第二电极。
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