[发明专利]锗化合物

摘要

提供了适合用作锗膜气相沉积前体的锗化合物。还提供了利用这样的化合物沉积含有锗的膜的方法。这样的锗膜在制造电子器件中是特别有用的。

主权项

1.一种在衬底上沉积含锗膜的方法，包括以下步骤：a)在气相中输送两种或多种锗化合物到含有衬底的沉积室中，其中第一锗化合物是式为X14-aGeRa的卤锗化合物，其中a＝0-3，每个X1独立地为卤素，每个R独立地选自H、烷基、烯基、炔基、芳基和NR3R4，其中，每个R3和R4 独立地选自H、烷基、烯基、炔基和芳基，其中，第二锗化合物式为其中，每个R1和R2独立地选自H、烷基、烯基、炔基和芳基；每个R3独立地选自烷基、烯基、炔基和芳基；X是卤素；a’＝0-4；b’＝0-4；c’＝0-3；d’＝0-4，并且a’+b’+c’+d’＝4；前提是当X1＝Cl，R＝H和X＝Cl时，a’+b’≤3；b)在沉积室中分解该两种或多种锗化合物；并且c)在衬底上沉积含有锗的膜。