[发明专利]栅控二极管存储器单元及其写入方法有效
| 申请号： | 200410094909.4 | 申请日： | 2004-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN1627435A | 公开（公告）日： | 2005-06-15 |
| 发明（设计）人： | 温格·K·鲁克;罗伯特·H·丹纳德 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G11C11/401 | 分类号： | G11C11/401;G11C11/409;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李德山 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供一种栅控二极管存储器单元，包含例如场效应晶体管(″FET″)的一或多个晶体管，和栅控二极管，所述栅控二极管与FET进行信号传送，使得栅控二极管的栅极与第一FET的源极进行信号传送，其中栅控二极管的栅极形成存储单元的一个端子，并且栅控二极管的源极形成存储单元的另一个端子，第一FET的漏极与位线(″BL″)进行信号传送，并且第一FET的栅极与写字线(″WLw″)进行信号传送，而栅控二极管的源极与读字线(″WLr″)进行信号传送。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 存储器 单元 及其 写入 方法 | ||
【主权项】：
1.一种栅控二极管存储器单元，包括：至少一个晶体管；和与该至少一个晶体管进行信号传送的栅控二极管。
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