[发明专利]抑制锑化物硫钝化失效的保护层及其生成方法无效
| 申请号： | 200410093247.9 | 申请日： | 2004-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN1649108A | 公开（公告）日： | 2005-08-03 |
| 发明（设计）人： | 李爱珍;张雄;齐鸣 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/318 | 分类号： | H01L21/318;H01L23/58 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种新型的抑制锑化物硫钝化失效的保护层及其生成方法，其特征在于绝缘Si3Nx薄膜作为失效保护层材料及其抑制硫钝化失效的机制和在硫钝化层上淀积绝缘Si3Nx薄膜保护层的技术。本发明是在研究硫钝化失效的物理化学过程基础上在钝化的表面低温PECVD淀积Si3Nx有效地解决了硫钝化退化。本发明适用于提高化合物半导体器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 抑制 锑化物硫 钝化 失效 保护层 及其 生成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种抑制锑化物硫钝化失效的保护层，其特征在于锑化物硫钝化表面沉积一层波长处于近红外波段的绝缘Si3Nx薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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