[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

通过芯片区域的外围部分中的多个绝缘膜的多层结构，形成密封环结构以围绕该芯片区域。在该芯片区域中的至少一个绝缘膜中形成双重镶嵌互连，该双重镶嵌互连中集成有一个互连和一个连接到该互连的插塞。形成在该绝缘膜内的部分密封环结构是连续的，该绝缘膜中形成有双重镶嵌互连。形成在多层结构上的保护膜在保护环上具有开口。在开口中形成连接到该密封环的盖层。

主权项

1.一种半导体器件，其包括：在芯片区域中的衬底上形成的元件；在所述衬底上形成的包括多个绝缘膜的多层结构；在所述芯片区域中的所述绝缘膜中的至少一个中形成的互连；在所述芯片区域中的所述绝缘膜中的至少一个中形成且连接所述元件和所述互连、或者连接所述互连和另一个互连的插塞；通过所述芯片区域的外围部分中的所述多层结构形成，并包围所述芯片区域的密封环结构；以及在所述多层结构上形成的保护膜，其中在所述芯片区域中的所述绝缘膜中的至少一个中，形成其中集成所述互连、和与该互连连接的所述插塞的双重镶嵌互连；所述密封环结构中的位于其中形成所述双重镶嵌互连的绝缘膜中的一部分是连续的，并且所述保护膜在所述密封环结构的顶部具有开口，并且在该开口中形成与所述密封环结构连接的盖层。