[发明专利]多晶硅膜的形成方法有效
| 申请号： | 200410085785.3 | 申请日： | 2004-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN1638023A | 公开（公告）日： | 2005-07-13 |
| 发明（设计）人： | 金亿洙;李镐年;柳明官;朴宰彻;孙暻锡;李俊昊;权世烈 | 申请（专利权）人： | 京东方显示器科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/324;H01L21/20;B23K26/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张平元;赵仁临 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供通过非晶硅膜的结晶化形成多晶硅膜的方法，本发明多晶硅膜形成方法的特征是在隔离膜的存在下利用设定的掩膜，通过对蒸镀在玻璃基板上的非晶硅膜照射激光使其结晶化形成多晶硅膜的方法中，设计前述掩膜使之具有如下的掩膜图形：该掩膜被分成同样地具有一定长度的第1照射区域、第2照射区域和第3照射区域，该第1照射区域及第2照射区域具有下述形象：交替地配置透过部与非透过部，相互之间透过部与非透过部的位置彼此相反，而且各区域的透过部的端部有一定部分的重叠；该第3照射区域具有下述形象：交替地配置透过部与非透过部，但该透过部配置在与第1照射区域及第2照射区域的透过部的中央相对应的位置。利用具有前述掩膜图形的掩膜，使前述玻璃基板按一定的距离单位平行移动，同时进行n次激光照射，使a－Si膜全部结晶化。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.多晶硅膜的形成方法，其特征在于，将在夹有隔离膜的条件下蒸镀到玻璃基板上的非晶硅膜，利用设定的掩膜通过激光照射使其结晶形成多晶硅膜，在该方法中，设计前述掩膜使之具有如下的掩膜图形：该掩膜被分成同样地具有一定长度的第1照射区域、第2照射区域和第3照射区域，该第1照射区域及第2照射区域具有下述形象：交替地配置透过部与非透过部，相互之间透过部与非透过部的位置彼此相反，而且各区域的透过部的端部有一定部分的重叠；该第3照射区域具有下述形象：交替地配置透过部与非透过部，但该透过部配置在与第1照射区域及第2照射区域的透过部的中央相对应的位置；利用具有前述掩膜图形的掩膜，使前述玻璃基板按一定的距离单位平行移动，同时进行n次激光照射，使a-Si膜全部结晶化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
