[发明专利]表面处理方法

摘要

一种表面处理方法，包括：第一步骤，其中表面处理装置1和放置其上的基片10在处于基片10的正表面102与表面处理装置1面对的状态被输送至减压室的内部，以使多个凹入部分32(封闭空间)减压；第二步骤，其中通过使用在凹入部分32内部的负压和大气压的压力差，基片10处于被吸至表面处理装置1上的状态，把表面处理装置1和基片10从减压室的内部取出放入大气压下的环境；第三步骤，其中在基片10被表面处理装置1吸住的条件下，对基片10的所述背面101进行表面处理。

主权项

1.一种采用表面处理装置用于基片的表面处理方法，所述基片的一个表面将进行表面处理，另一表面与此表面相对，所述表面处理装置包括：至少一个封闭空间以及接触部分，所述接触部分围绕所述至少一个封闭空间，适于与基片另一表面密封地接触，与封闭空间和基片的另一表面协作，以产生负压，从而基片通过负压吸附至所述表面处理装置，以至少在表面处理过程中保持这种状态，所述方法包括：第一步骤，其中表面处理装置和放置其上的基片在处于基片的另一个表面与表面处理装置面对的状态下被输送至减压室的内部，以把封闭空间减压，进而在封闭空间产生负压；第二步骤，其中通过使用在封闭空间内部的负压和大气压的压力差，基片处于被吸至表面处理装置上的状态，把表面处理装置和基片从减压室的内部取出放入大气压下的环境；第三步骤，其中在基片被表面处理装置吸住的条件下，对基片的所述一个表面进行表面处理。