[发明专利]处理包含含氧氮化硅介质层的半导体器件的方法有效
| 申请号： | 200410085537.9 | 申请日： | 2004-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN1612306A | 公开（公告）日： | 2005-05-04 |
| 发明（设计）人： | V·C·韦内齐亚;F·N·库贝尼斯 | 申请（专利权）人： | IMEC公司;康宁克里克菲利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/314 | 分类号： | H01L21/314;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 火惠颖 |
| 地址： | 比利*** | 国省代码： | 比利时;BE |
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| 摘要： | 本发明提供一种通过将氮原子结合到包括二氧化硅的介质层中来处理部分转变成含氧氮化硅介质层的半导体器件的方法。根据本发明，在将氮原子引入二氧化硅的介质层之前，将硅对氧的原子比被选择成大于1/2的二氧化硅提供给该介质层。特别是以这种方式，得到具有介质区和半导体基片之间的高质量界面、来自栅区的杂质不能渗透的介质区和基本等于所沉积的介质层的厚度的MOS晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 包含 氮化 介质 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于处理包括控制电极介质层(4)和控制电极(7)的半导体器件的方法，其特征在于，该方法包括：在其顶部形成所述控制电极(7)之前在半导体基片(1)上提供所述控制电极介质层(4)，该控制电极介质层(4)是至少部分提供为具有大于0.5的硅对氧原子比的氧化硅，提供所述氧化硅控制电极介质层(4)之后，通过将氮原子结合到所述控制电极介质层(4)至少将部分氧化硅控制电极介质层转变成含氧氮化硅层，其中提供所述控制电极介质层(4)包括：提供靠近半导体基片(1)和氧化硅控制电极介质层(4)之间的界面的氧化硅控制电极介质层(4)的第一区，其硅对氧的原子比基本上等于1/2，并提供位于靠近氧化硅控制电极介质层的表面的氧化硅控制电极介质层(4)的第二区，其硅对氧的原子比大于1/2。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
