[发明专利]利用纳米球模板制备单元尺寸可控的纳米点阵列的方法无效
| 申请号： | 200410083939.5 | 申请日： | 2004-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN1588236A | 公开（公告）日： | 2005-03-02 |
| 发明（设计）人： | 吴培文;庹新林;王晓工;袁俊 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李光松 |
| 地址： | 100084北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了属于纳米光刻技术领域的一种利用纳米球模板制备单元尺寸可控的纳米点阵列方法。该方法是利用等离子刻蚀控制纳米球模板中沉积通道的尺寸，通过结合纳米球光刻技术中的镀膜和清洗步骤，可以得到单元尺寸可控的纳米点阵列。演示实验中纳米点阵列的密度为42G/in2，同时单元尺寸控制在26－100nm。该方法直接基于模板中沉积通道的控制，适用于各种材料点阵列的制备。通过与不同材料薄膜制备技术的结合，应用本方法改进的纳米球光刻技术可以制备出不同材料的、单元尺寸可控的高密度纳米点阵列。可用于基于纳米点阵列的器件如磁存储、传感器等的制备和基于单元尺寸调制的器件性能优化。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 纳米 模板 制备 单元 尺寸 可控 阵列 方法 | ||
【主权项】：
1.一种利用纳米球模板制备单元尺寸可控的纳米点阵列方法，其特征在于：在单层、双层或多层的纳(微)米球模板上利用等离子体刻蚀，对模板中的沉积通道进行可控的扩展，其刻蚀仓内真空度为10-1-102Pa，功率10-100W，刻蚀时间0.1-30分钟；然后通过薄膜制备技术在模板上沉积一层薄膜，并对纳米球模板进行常规清洗后得到规则排列的单元尺寸独立可控的纳米点阵列；在演示实验中纳米点阵列的密度为42Gdot/in2，同时单元尺寸控制在26-100nm。
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