[发明专利]形成具有低电阻率金属图案的方法无效
| 申请号： | 200410081932.X | 申请日： | 2004-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN1641483A | 公开（公告）日： | 2005-07-20 |
| 发明（设计）人： | 卢昌镐;宋基镕;金珍詠;塔玛拉·拜克;G·A·布兰尼茨基;T·V·盖夫斯卡娅;V·G·索科洛夫 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 封新琴;巫肖南 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于形成低电阻率金属图案的方法。该方法包含以下步骤：(i)将光催化化合物涂布到衬底上以形成光催化薄膜层；(ii)将水溶性聚合物涂布到光催化薄膜层上以形成水溶性聚合物层；(iii)将该两层选择性曝光以形成用作晶体生长的核的潜图案；以及(iv)将潜图案镀以金属以在其上生长金属晶体。根据该方法，可以以低成本、较简单的方式形成包含低电阻率金属的多层电路图案，并且可以根据预定用途自由选择构成各层的金属。该低电阻率金属图案可有利地应用于平板显示器件如LCDs、PDPs和ELDs。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 具有 电阻率 金属 图案 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成金属图案的方法，其包含以下步骤：(i)将光催化化合物涂布到衬底上以形成光催化薄膜层；(ii)将水溶性聚合物涂布到光催化薄膜层上以形成水溶性聚合物层；(iii)将该两层选择性曝光以形成用于晶体生长的潜像中心；和(iv)将潜图案镀以金属以在其上生长金属晶体。
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