[发明专利]双波导技术制作半导体激光器和模斑转换器的方法无效
| 申请号： | 200410081009.6 | 申请日： | 2004-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN1756009A | 公开（公告）日： | 2006-04-05 |
| 发明（设计）人： | 侯廉平;王圩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种双波导技术制作半导体激光器和模斑转换器的方法，包括以下步骤：在n型磷化铟衬底上依次外延生长n型磷化铟缓冲层、下波导层、空间层、有源区和较薄的磷化铟本征层，磷化铟本征层可防止有源区的氧化；去掉最上面的磷化铟本征层，用SiO2把激光器部分掩蔽，采用湿法腐蚀工艺刻出模斑转换器上脊形状；然后利用自对准工艺刻出下脊形状，该下脊形状包括下波导层、空间层；第二次生长p型磷化铟盖层和高掺杂p型铟镓砷欧姆电极接触层；用SiO2把模斑转换器部分掩蔽，重新刻出激光器部分的上、下脊形状，该上脊形状包括有源区、p型磷化铟盖层和高掺杂p型铟镓砷欧姆电极接触层；外延片衬底减薄至100μm，制作p/n电极后，经划片解理成250μm×500μm左右的管芯。 | ||
| 搜索关键词： | 波导 技术 制作 半导体激光器 转换器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双波导技术制作半导体激光器和模斑转换器的方法，其特征在于，包括以下制作步骤：步骤1：在n型磷化铟衬底上依次外延生长n型磷化铟缓冲层、下波导层、空间层、有源区和较薄的磷化铟本征层，磷化铟本征层可防止有源区的氧化；步骤2：去掉最上面的磷化铟本征层，用SiO2把激光器部分掩蔽，采用湿法腐蚀工艺刻出模斑转换器上脊形状；步骤3：然后利用自对准工艺刻出下脊形状，该下脊形状包括下波导层、空间层；步骤4：第二次生长p型磷化铟盖层和高掺杂p型铟镓砷欧姆电极接触层；步骤5：用SiO2把模斑转换器部分掩蔽，重新刻出激光器部分的上、下脊形状，该上脊形状包括有源区、p型磷化铟盖层和高掺杂p型铟镓砷欧姆电极接触层；步骤6：外延片衬底减薄至100μm，制作p/n电极后，经划片解理成250μm×500μm左右的管芯。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410081009.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
