[发明专利]单一晶体管型随机存取存储器的制造方法及其电容器结构

摘要

一种与逻辑制程兼容的单一晶体管型随机存取存储器(1T－RAM)的制造方法，其是在一半导体基底的存储单元区以及逻辑电路区中完成栅极层、源/漏极区、遮蔽层、金属硅化物、蚀刻停止层以及第一介电层之后，于一浅沟槽隔离结构中定义一电容器区域，则该浅沟槽隔离结构的暴露侧壁以及该半导体基底的暴露表面是用作为一电容器下电极板。而后依序沉积一介电层以及一导电层于该电容器下电极板表面上，分别用以作为一电容介电层以及一电容器上电极板。

主权项

1.一种单一晶体管型随机存取存储器的制造方法，包括有下列步骤：提供一半导体基底，其包含有一存储单元区以及一逻辑电路区；于该半导体基底中形成多个浅沟槽隔离结构，用以定义该存储单元区以及该逻辑电路区的有源区域，其中该第一浅沟槽隔离结构位于该存储单元区内，且该第二浅沟隔离结构位于该存储单元区以及该逻辑电路区的交界处；于该半导体基底的表面上形成多个栅极层以与栅极绝缘层，其中该存储单元区内包含有多个第一栅极层以及至少一个第二栅极层，该逻辑电路区内包含有至少一个第一栅极层以及至少一个第二栅极层，且该存储单元区内的该第二栅极层是形成于该第一浅沟槽隔离结构的表面上，且该逻辑电路区内的该第二栅极层是形成于该第二浅沟槽隔离结构的表面上；于该存储单元区内的该第一栅极层周围的该半导体基底内形成一源/漏极区，并于该逻辑电路区内的该第一栅极层周围的该半导体基底内形成一源/漏极区；形成一光阻保护氧化层，是遮蔽该逻辑电路区内的该第二栅极层而与该存储单元区内的该第一栅极层之间不形成金属硅化物的表面区域，并遮盖该存储单元区内的该第一栅极层与该第二栅极层之间不形成金属硅化物的区域；进行自动对准金属硅化物制程，以于该光阻保护氧化层区域以外的该第一栅极层顶部以及该源/漏极区的表面上形成一金属硅化物层；形成一蚀刻停止层于完成上述步骤的该半导体基底的整个表面上；形成一第一氧化硅层，是覆盖该蚀刻停止层的整个表面；形成一光阻层于该第一氧化硅层表面上，其中该光阻层包含有一电容器图案开口；去除该电容器图案开口内的该第一氧化硅层、该蚀刻停止层、该光阻保护氧化层与该浅沟槽隔离结构，直至暴露该浅沟槽隔离结构的一部分侧壁及其相邻的半导体基底表面，则该浅沟槽隔离结构的暴露侧壁以及该半导体基底的暴露表面是用作为一电容器下电极板；以及依序沉积一高介电常数的介电层以及一导电层于完成上述步骤的该半导体基底的整个表面上，则顺应性沉积于该电容器下电极板表面上的该高介电常数的介电层以及该导电层是分别作为一电容介电层以及一电容器上电极板。