[发明专利]用于旋涂抗反射涂层/硬掩膜材料的含硅组合物有效
申请号: | 200410080378.3 | 申请日: | 2004-09-29 |
公开(公告)号: | CN1619415A | 公开(公告)日: | 2005-05-25 |
发明(设计)人: | M·安耶洛普洛斯;黄武松;A·P·马霍罗维拉;W·莫罗;D·法伊弗;R·苏恩雅库马兰 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F7/20;G03F7/00 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 林柏楠;刘金辉 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 特征在于存在带有悬吊生色团的含Si聚合物的抗反射组合物是光刻技术方法中可用的抗反射涂层/硬掩膜组合物。在使用旋涂应用技术加以运用时,这些组合物提供了优异的光学、机械和蚀刻选择性能。在用于设计基片支撑材料层(尤其是金属或半导体层)的光刻技术方法中,此组合物是特别适用的。 | ||
搜索关键词: | 用于 旋涂抗 反射 涂层 硬掩膜 材料 组合 | ||
【主权项】:
1、适于形成旋涂抗反射层的组合物,该组合物含有带有多个分布于聚合物上以与交联组分反应的反应活性部位和生色团的硅聚合物和交联组分,其中所述的硅聚合物在主链或侧基上含有Si-(Si)n片段,其中n是1-15的整数,并且Si-(Si)n片段代表直链的、支链的、或环状的硅烷、或其任意结合。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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