[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200410079861.X | 申请日： | 2004-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN1601754A | 公开（公告）日： | 2005-03-30 |
| 发明（设计）人： | 丰田泰之;曾根高真一 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/72 | 分类号： | H01L29/72;H01L21/331 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件，具有低电阻的N型半导体基板(101)、形成在该N型半导体基板(101)上的N型的并且电阻比半导体基板(101)高的集电层(102)、与该集电层(102)具有接合面的P型的本征基区(104)、与该本征基区(104)具有接合面的N型的发射区(105)，其中，本征基区(104)的沿其周围，被从集电层(102)到达N型半导体基板(101)的绝缘槽(103)覆盖。根据本发明，即使电源电压变动，半导体器件中的集极基极间的反馈电容也不变化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，具有：第1导电型的半导体基板；集电层，形成在所述半导体基板上、由第1导电型并且电阻高于所述半导体基板的第1半导体构成；本征基区，由与所述集电层具有接合面并且是第2导电型的第2半导体构成；发射区，由与所述本征基区具有接合面并且是第1导电型的第3半导体构成，所述本征基区的周围，被从所述集电层达到所述半导体基板的绝缘区覆盖。
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