[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 200410076946.2 | 申请日： | 2004-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN1591881A | 公开（公告）日： | 2005-03-09 |
| 发明（设计）人： | 小山潤;長多剛;松嵜隆德 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 张政权 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 通过在绝缘基片上形成的薄膜晶体管，利用运算放大器和二极管的常规结构构成的整流电路，由于运算放大器的低稳定性和低高频性能，不能展示出整流电路的特性。因此，为了整流高频信号，整流电路需要使用绝缘基片外部的IC来构成。根据本发明，放大电路和波形整形电路由薄膜晶体管构成，非整流信号由其信号来切换，因而，能够实现具有卓越高频特性的整流电路。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：整流电路，所述整流电路具有：电源，基于输入信号形成逻辑信号的装置，以及由逻辑信号控制的开关电路，其中，根据所述开关电路的动作，或者输出输入信号或者输出电源电压，所述装置和所述开关电路中的至少一个包括薄膜晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
